3D Nand基本原理-你想知道的全在这里(下)
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发布时间：31分钟前
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4.1 NOR和NAND的结构对比
结构上，NOR和NAND的主要区别在于其存储单元的连接方式。NOR的存储单元以并联方式连接，而NAND的存储单元则以串联方式连接。这种结构上的差异直接影响了它们的存储密度和操作方式。
4.2 读取和写入的区别
在读取过程中，NOR闪存中的每个存储单元，可以通过简单的电压操作来读取特定地址的数据，这使得读取速度非常快。而NAND闪存中的每个存储单元以串联方式连接，为了读取特定地址的数据，需要让其他存储单元导通，这涉及到多次寻址操作，导致读取速度较慢。
写入过程也有所不同。NOR和NAND都支持擦除操作，但写入方式各有特点。NOR使用热电子注入，而NAND使用隧穿注入。热电子注入方式速度较慢，但功耗较低，适用于低功耗产品；隧穿注入则速度快，但功耗较高，适用于追求速度的应用。
5. NAND颗粒类型对比
NAND家族中有不同的颗粒类型，包括SLC、MLC、TLC和QLC。SLC颗粒每个存储单元可以存储1个比特，MLC颗粒可以存储2个比特，TLC颗粒可以存储3个比特，QLC颗粒可以存储4个比特。颗粒类型的变化提高了存储密度，但牺牲了擦写寿命和功耗。
6. 3D NAND的发展
为了提高存储密度，NAND技术从2D发展到了3D。3D NAND通过垂直堆叠存储单元，大大提高了存储容量。例如，从16层到128层的3D NAND，实现了更高的存储密度和更大的存储容量。
总结，NOR和NAND在结构、读取和写入方式、颗粒类型以及存储密度方面有显著差异，这些差异影响了它们在不同应用中的性能和适用范围。随着技术的发展，3D NAND等新型存储技术的出现，为存储器领域带来了更大的可能性和挑战。
