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热心网友
它是在P型氢化非晶硅和n型氢化非晶硅与n型硅衬底之间增加一层非掺杂(本征)氢化非晶硅薄膜,采取该工艺措施后,改变了PN结的性能。因而使转换效率达到20.7%,开路电压达到719 mV,并且全部工艺可以在200℃以下实现。
热心网友
谁说的它就效率高啊