pvd与cvd的相似点与不同点
发布网友
共5个回答
热心网友
CVD的优缺点：
优点：CVD制备所得到的薄膜或材料一般纯度很高，很致密，而且容易形成结晶定向好的材料；能在较低温度下制备难容物质；便于制备各种但是或化合物材料以及各种复合材料。
缺点：需要在高温下反应，基片温度高，沉积速率较低，使用设备复杂，集体难于进行局部沉积，参加反应的源和反应后的余气都有一定的毒性
(PVD需在较低的压力下进行,沉积率几乎100%.CVD在相对较高的压力下进行.PVD具有方向性和阴影效应,CVD薄膜可以被均匀地涂覆在复杂零件的表面上,而较少受到阴影效应的*.CV可以有效地控制薄膜的化学成分,高的生产效率和低的设备及运行成.与其他相关工艺具有较好的相容性.)
热心网友
这个问题越来越难了，哈哈，还是
我回答，不知道你到底要做什么产品，问看真有回答你的，你这样问，说了这个行业广，没有办法回答，手打没有办法，可以复制点给你。CVD(Chemical
Vapor
Deposition,
化学气相沉积)，指把含有构成薄膜元素的气态反应剂或液态反应剂的蒸气及反应所需其它气体引入反应室，在衬底表面发生化学反应生成薄膜的过程。在超大规模集成电路中很多薄膜都是采用CVD方法制备。经过CVD处理后，表面处理膜密着性约提高30%，防止高强力钢的弯曲，拉伸等成形时产生的刮痕。
CVD是Chemical
Vapor
Deposition的简称，是指高温下的气相反应，例如，金属卤化物、有机金属、碳氢化合物等的热分解，氢还原或使它的混合气体在高温下发生化学反应以析出金属、氧化物、碳化物等无机材料的方法。这种技术最初是作为涂层的手段而开发的，但目前，不只应用于耐热物质的涂层，而且应用于高纯度金属的精制、粉末合成、半导体薄膜等，是一个颇具特征的技术领域。
其技术特征在于：（1）高熔点物质能够在低温下合成；（2）析出物质的形态在单晶、多晶、晶须、粉末、薄膜等多种；（3）不仅可以在基片上进行涂层，而且可以在粉体表面涂层，等。特别是在低温下可以合成高熔点物质，在节能方面做出了贡献，作为一种新技术是大有前途的。
例如，在1000℃左右可以合成a-Al2O3、SiC，而且正向更低温度发展。
CVD工艺大体分为二种：一种是使金属卤化物与含碳、氮、硼等的化合物进行气相反应；另一种是使加热基体表面的原料气体发生热分解。
CVD的装置由气化部分、载气精练部分、反应部分和排除气体处理部分所构成。目前，正在开发批量生产的新装置。
CVD是在含有原料气体、通过反应产生的副生气体、载气等多成分系气相中进行的，因而，当被覆涂层时，在加热基体与流体的边界上形成扩散层，该层的存在，对于涂层的致密度有很大影响。图2所示是这种扩散层的示意图。这样，由许多化学分子形成的扩散层虽然存在，但其析出过程是复杂的。粉体合成时，核的生成与成长的控制是工艺的重点。
作为新的CVD技术，有以下几种：
（1）采用流动层的CVD；
（2）流体床；
（3）热解射流；
（4）等离子体CVD；
（5）真空CVD，等。
应用流动层的CVD如图3所示，可以形成被覆粒子（例如，在UO2表面被覆SiC、C），应用等离子体的CVD同样也有可能在低温下析出，而且这种可能性正在进一步扩大
热心网友
1.原理比较
CVD(Chemical Vapor Deposition, 化学气相沉积)，指把含有构成薄膜元素的气态反应剂或液态反应剂的蒸气及反应所需其它气体引入反应室，在衬底表面发生化学反应生成薄膜的过程。
PVD是英文Physical Vapor Deposition（物理气相沉积）的缩写，是指在真空条件下，采用低电压、大电流的电弧放电技术，利用气体放电使靶材蒸发并使被蒸发物质与气体都发生电离，利用电场的加速作用，使被蒸发物质及其反应产物沉积在工件上。
热心网友
PVD与CVD的对比
CVD定义：
通过气态物质的化学反应在衬底上淀积一层薄膜材料的过程
CVD技术特点：
具有淀积温度低、薄膜成分和厚度易于控制、均匀性和重复性好、台阶覆盖优良、适用范围广、设备简单等一系列优点
CVD方法几乎可以淀积集成电路工艺中所需要的各种薄膜，例如掺杂或不掺杂的SiO2、多晶硅、非晶硅、氮化硅、金属(钨、钼)等
热心网友
CVD定义：
通过气态物质的化学反应在衬底上淀积一层薄膜材料的过程
CVD技术特点：
具有淀积温度低、薄膜成分和厚度易于控制、均匀性和重复性好、台阶覆盖优良、适用范围广、设备简单等一系列优点
CVD方法几乎可以淀积集成电路工艺中所需要的各种薄膜，例如掺杂或不掺杂的SiO2、多晶硅、非晶硅、氮化硅、金属(钨、钼)等
