发布网友 发布时间:2022-04-27 04:35
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热心网友 时间:2022-06-26 07:29
兴奋性突触后电位(EPSP)- 突触后膜的膜电位在递质作用下发生去极化改变,导致该神经元对其它刺激的兴奋性增高,这种电位变化称为EPSP.是突触后膜产生的局部兴奋,可以发生总和。 * EPSP产生的离子机制 ( 突触后膜 - Na+, K+内流 - 去极化)
2. 抑制性突触后电位(IPSP)- 突触后膜的膜电位在递质作用下发生超极化改变,导致该神经元对其它刺激的兴奋性降低,这种电位变化称为IPSP. * IPSP产生的离子机制 (突触后膜 - Cl- 内流 - 超极化) 突触后神经元的胞体好似一个整合器,突触后膜的电位改变取决于同时产生的EPSP与IPSP的代数和,当后膜电位去极化到阈电位水平,在比较细小的轴突始段引发扩布性动作电位。 突触后抑制 (postsynaptic inhibition) - 抑制性中间神经元释放抑制性神经递质,使与其发生突触联系的突触后神经元产生IPSP,从而使突触后神经元发生抑制。