摘要 ..................................................................................................................1 1 设计方案与电路 ..........................................................................................2
1.1 电路形式的设计 ............................................................................ 2
1.1.1 设计原理 ............................................................................... 2 1.1.2 电路设计方案 ....................................................................... 2 1.1.3 电路设计 ............................................................................... 3 1.2 主振电路设计原理分析 ................................................................ 3 1.3 调频电路设计原理分析 ................................................................ 4
1.3.1 FM调制原理 .......................................................................... 5 1.3.2 三极管的参数 ....................................................................... 6 1.3.3 变容二极管频率调制的原理 ............................................... 6
2 电路工作分析 ..............................................................................................8
2.1调制 ................................................................................................... 8
2.1.1谐振回路总电容 .................................................................... 8 2.1.2 回路总电容变化量 ............................................................... 8 2.1.3 调制灵敏度 ........................................................................... 8 2.2 增加稳定度的措施........................................................................ 9
2.2.1 选用合适的负温度系数的电容器 ..................................... 9 2.2.2 LC选材、工作环境恰当 ...................................................... 9 2.2.3 使负载轻且稳定 ............................................................... 10 2.2.4 加缓冲级 ........................................................................... 10 2.2.5有源器件采用稳压电源 ...................................................... 10
3 电路元器件参数设置 ................................................................................10
3.1 LC震荡电路直流参数设置 ........................................................... 10 3.2 主频电路参数设置 ......................................................................... 11 3.3 调频电路的直流参数设置 ............................................................ 12 3.4 调制信号的幅度计算 .................................................................... 13 4 课程设计心得 ............................................................................................14 参考文献 ........................................................................................................15 附录1 电路图 ...............................................................................................16 附录2 元件清单 ...........................................................................................17
摘要
随着电子与通信技术的不断进步,各种电子新产品的开发速度越来越快。现代计算机和微电子技术的进一步结合和发展,使得电子电路和通信线路的设计出现了两个分支。一个是朝着更高集成度的集成电路发展;而另一个是利用分立元件和硬件描述语言对新型器件进行专门设计。
调频广播具有抗干扰性能强、声音清晰等优点,获得了快速的发展。调频电台的频带通常大约是200~250kHz,其频带宽度是调幅电台数十倍,便于传送高保真立体声信号。由于调幅波受到频带宽度的限制,在接收机中存在着频带宽度与干扰的矛盾,因此音频信号的频率局限于30~8000Hz的范围内。在调频时,可以将音频信号的频率范围扩大至30~15000Hz,使音频信号的频谱分量更为丰富,声音质量大为提高。目前,许多小功率的调频发射机都采用变容二极管直接调频技术,即在工作于发射载频的LC震荡回路上直接调频,采用晶体振荡器和锁相环路来稳定中心频率。较之中频调制和倍频方法,这种方法的电路简单、性能良好、副波少、维修方便,是一种较先进的调制调频方案。
关键词:信号 频率 调频 调制 变容二极管 LC振荡电路
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1 设计方案与电路
1.1 电路形式的设计
1.1.1 设计原理
变容二极管是根据PN结的结电容随反向电压大小而变化的原理设计的一种二极管。它的极间结构、伏安特性与一般检波二极管没有多大差别。不同的是在加反向偏压时,变容二管呈现较大的结电容。这个结电容的大小能灵敏地随反向偏压而变化。正是利用了变容二极管这一特性,将变容二极管接到振荡器的振荡回路中,作为可控电容元件,则回路的电容量会随调制信号电压而变化,从而改变振荡频率,达到调频的目的。
由于抗干扰能力强、功率利用率高、信息传输保真度高等优点,频率调制广泛应用于各种通信系统和电子设备中。实现调频的方法有直接调频法和间接调频法两类,
所谓调频,就是把要传送的信息(例如语言、音乐)作为调制信号去控制载波(高频振荡信号)的瞬时频率,使其按调制信号的规律变化。
1.1.2 电路设计方案
变容二极管调频的主要优点是能够获得较大的频移(相对于间接调
频而言),线路简单,并且几乎不需要调制功率,其主要缺点是中心频率的稳定度低。在满足设计的各项参数的基础上尽量简化电路。因此本次
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课程设计采用2CC1C变容二极管进行直接调频电路设计。
1.1.3 电路设计
变容二极管调频电路是有主频电路和调频电路构成,电路如图1.1所示。
图1.1 变容二极管调频电路
1.2 主振电路设计原理分析
图1.1中,T为振荡管,C1、C2、C3、L1为主振回路,D为变容二极管。为了减少晶体管结电容对回路振荡频率的影响,C2、C3取值较大,若选C1< 3 本电路采用常见的电容三点式震荡电路实现LC振荡,简便易行,变容二极管电容作为组成LC振荡电路的一部分,电容值会随加在其两端的电压的变化而变化,从而达到了变频的目的。 Rc,Re,RB1,RB2设置LC震荡电路的静态工作点,L1,C1构成LC震荡电路,CC,DC接入LC振荡电路改变振荡频率构成调频电路。R1、R2、R3提供变容二极管工作所需的直流偏置。信号VΩ从C5接入,电感L2是一低通线圈,可以过滤掉信号的高频部分。图1.2为调频电路的交流等效电路。 图1.2 三点式振荡电路 1.3 调频电路设计原理分析 图1.1中,调频电路由变容二极管D、耦合电容Cc、偏置电阻R1、R2和隔离电阻R3构成,L3为高频扼流圈,C4为高频滤波电容。变容二 pCcCcCj极管采用部分接入,接入系数,其中等效电路图如图1.3所 示。图中C1为变容二极管结电容,与变容二极管两端反压呈非线性关系。在静态工作点附近小信号范围内可认为是线性的,实现线性调频。无调制时,谐振回路的总电容为: 4 CQC1 CC CQCCCQ式中CQ,为静态工作点是所对应的变容二极管结电容。 图1.3 变容二极管部分接入等效图 1.3.1 FM调制原理 FM调制是靠调频使信号频率发生变化,振幅可保持不变,所以噪声易消除。 设载波则 VcVcmcoswct,调制波 VsVsmcoswst。 wmwcwcoswst fmfcfcos2fst或,此时的频率偏移量 △f为最大频率偏移。 最后得到的被调制波 t0VmVcmsinm , V m 随Vs的变化而变化。 mwmdtwct(w/ws)sinwst 5 VmVcmsinmVcmsin[wct(w/ws)sinwst]Vcmsin(wctmsinwst)mwfwsfs 为调制系数 1.3.2 三极管的参数 NPN型高频小功率三极管3DG100(3DG6)参数(如图1.4) 原型号 3DG6 新型号 3DG6100 3DG6100 3DG6100 3DG6100 测试条件 极PCM(Mv) 限ICM(Ma) 20 参BVBO(V) 330 数 BVCEO(V) A 100 B 100 20 340 图1.4 高频三极管的参数 C 100 20 330 D 100 20 340 IC=100uA 1.3.3 变容二极管频率调制的原理 变容二极管是利用半导体PN结的结电容随反向电压变化这一特性制 成的一种半导体二极管,它是一种电压控制可变电抗元件,它的结电容Cj与反向电压VR存在如下关系: Cj0Cjv(1R)VD 式中,VD为PN结的势垒电压(内建电势差),Cj0为VR为0时的结电容, 6 γ为系数,它的值随半导体的掺杂浓度和PN结的结构不同而异:对于缓变结,γ=1/3;突变结:γ=1/2;对于超突变结,γ=1/4,最大可达6以上。 变容二极管的Cj-v特性曲线如图1.5所示。 图1.5 变容二极管的Cj-v特性曲线 加到变容二极管上的反向电压包括直流偏压V0和调制信号电压VΩ(t)=VΩcosΩt,即vR(t)V0Vcost。 结电容在vR(t)的控制下随时间的变化而变化。把受到调制信号控制的变容二级管接入载波振荡器的振荡回路,则振荡回路的频率已收到调制信号的控制。适当选择调频二极管的特性和工作状态,这样就实现了调频。设电路工作在线性调制状态,在静态工作点Q处,曲线的斜率为 kCΔCΔV。 7 2 电路工作分析 2.1调制 2.1.1谐振回路总电容 CC1CcCjCcCj 2.1.2 回路总电容变化量 Cp2Cj2.1.3 调制灵敏度 单位调制电压所引起的最大频偏称为调制灵敏度,以Sf表示,单位为 kHz/V,即 Sf = △fm / VΩm VΩm为调制信号的幅度;△fm为变容管的结电容变化△Cj时引起的最大频偏。 在频偏较小时,△fm与△C∑的关系可采用下面近似公式,即 fm1Cfo2CQ 调制灵敏度 8 SffoC2CQVΩm调制灵敏度Sf可以由变容二极管Cj-v 特性曲线上VQ处的斜率kc计算。Sf越大,说明调制信号的控制作用越强,产生的频偏越大。 改变CC的值可以使变容二极管的工作点调节到最佳状态。 2.2 增加稳定度的措施 2.2.1 选用合适的负温度系数的电容器 使L与C的变化量与△L与△C的变化量相互抵消以维持恒定的震荡频率,其原理如下: 若回路的损耗电阻r很小,即Q值很高时,则振荡频率可以近似的用回路的固有频率f0来表示。 ff012LC 由于外界因素的影响,LC产生微小的变量△L、△C,因而引起振荡频率的变化为 f1LCf0fL0Cf02LC LC若选用合适的负温度系数的电容器 (电感线圈的温度系数恒为正值), 使得△C/C与△L/L互相抵消,则△f可减为零。这就是温度补偿法。 2.2.2 LC选材、工作环境恰当 ff012LC知,若LC有变化,则震荡频率必然变化,而影 由 响LC飞变化的因素有: 9 元件的机械变形 周围温度的变化 适度,气压的变化 因此为了维持LC的数值不变,首先就应选取标准性高的,不易发生机械变形的元件;其次,应尽量维持振荡器的环境温度的恒定,因为当温度变化时,不仅会使LC的数值发生变化,而且会引起电子器件的参数变化,因此高稳定度的振荡器可以封闭在恒温箱内,LC采用温度系数低的材料制成。 2.2.3 使负载轻且稳定 r的大小是由振荡器的负载决定的,负载重时,r大,负载轻时r小,当负载变化时,振荡频率也随之变化。为了减小r的影响尽量使负载小且稳定,r越小,回路的Q值越高,频率的稳定度也越高, 2.2.4 加缓冲级 为了减弱后级电路对主振器的影响,可在主振器后面加入缓冲级。 2.2.5有源器件采用稳压电源 晶体管为有源器件时,若他的工作状态(电源电压或周围温度等) 有所改变,则晶体管的h参数会发生变化,即引起振荡频率的改变。为了维持晶体管的参数不变,应该采用稳压电源,和恒温措施。 3 电路元器件参数设置 3.1 LC震荡电路直流参数设置 ICQ一般为1~4mA。若ICQ偏大,振荡幅度增加,但波形失真加重, 10 频率稳定性变差。 取ICQ=2mA。取VCEQ=(1/2)VCC=6V。可以求出Rc+Re=3KΩ,取Rc=2KΩ,Re=1KΩ;β=60,IBQ=β×IBQ,为使减小IBQ对偏执电阻的电位偏执效果的影响,取RB1和RB2上流过的电流IB>>IBQ,取RB1=28KΩ,RB2=8.2KΩ。 3.2 主频电路参数设置 fo由LC震荡频率的计算公式可求出则L1≈10H。 实验中可适当调整L1的圈数或C1的值。 电容C2、C3由反馈系数 F 及电路条件C1< FC2/C31/8~1/212πL1C1,若取C1=100pF, ,则取 C3=3000 pF,取耦合电 图3.1变容二极管Cj-V曲线 11 取变容管静态反向偏压VQ=-4V,由特性曲线可得变容管的静态电容CQ=75pF。2CC1C属于突变结,γ=0.5,图3.2为变容二极管部分接入振荡回路的等效电路,接入系数p及回路总电容C∑分别为 pCcCcCjCC1 CcCjCcCj 为减小振荡回路高频电压对变容管的影响, p应取小,但p过小又会使频偏达不到指标要求。可以先取p=0.2,然后在实验中调试。当VQ=-4V时,对应CQ=75pF,则CC 18.8 pf 。取标称值20pF。 图3.2 主频等效电路图 3.3 调频电路的直流参数设置 根据2CC1C数据手册提供的变容二极管的Cj-v特性曲线(如图3.1),取变容二极管的正常工作的反向偏置电压为4V,R1与R2为变容二极管提供静态时的反向直流偏置电压VQ,电阻R3称为隔离电阻,常取R3>>R2,R3>>R1,以减小调制信号VΩ对VQ的影响。已知 VQ=4V,若取 R2=10k , 12 隔离电阻R3=150kΩ。则R1=20KΩ 3.4 调制信号的幅度计算 为达到最大频偏△fm的要求,调制信号的幅度VΩm,可由下列关系式求出。 fm1Cfo2CQ 由Cj-v 曲线得变容管 2CC1C 在VQ= – 4V 处的斜率 kCCjV12.5PF/V,得调制信号的幅度 VΩm=ΔCj / kc= 0.92V。 调制灵敏度: Sf 为 SffmVm10.9KHz/V 13 4 课程设计心得 通过本周的课程设计,我认识到课本上的知识的实际应用,激发了学习兴趣,增强了思考和解决实际问题的能力。课程设计,使我学会了充分利用图书馆资源和网络资源进行自主学习研究。使自己对高频电子线路这门课程有了一崭新的认识。这让我明白了阅读查找文献的重要性,平时多积累知识,真正到了用的时候,做题才会得心应手。 此次课程设计运用了二极管,电阻,电容,线圈等器件,使我进一步加深了对这些元件的理解和认识,以及它们的应用方法和注意事项,为以后分析这些元件的工作特性打好了基础。 此次课程设计我学会了不同的元件来组成电路实现相同的功能,从中比较分析而确定最优的设计组合。在课程设计过程中我练习用了Protel 软件绘制电路原理图,更加熟悉了该软件。并且提高了自己发现问题、分析问题、解决问题的能力。 当然在这一星期里,学会的最重要的一点就是和同学互相协助共同进步。在实习中常遇到一些自己不明白的问题,通过和同学的交流和向其他人请教来解决。另外,在和别人交流的同时我们可以获得不同的想法,不断地完善自己的设计。 通过一周的课程设计,自己掌握了丰富的科学文化知识,提高了自己的思考能力。 14 参考文献 1: 李银华 电子线路设计指导 北京航天航空大学出版社 2005.6 2: 谢自美 电子线路设计·实验·测试 华中科技大学出版 社2003.10 3: 张肃文 高频电子线路 高等教育出版社 2004.11 4:罗伟雄 通信原理与电路 北京理工大学出版社 1999 5:阎石 数字电子技术基础 北京高等教育出版社 2001 6:张凤言 7:阳昌汉 电子电路基础 高等教育出版社 1995 高频电子线路学习与解题指导 哈尔滨工程大 学出版 2004 8:李新平 实用电子仿真技术 北京机械工业出版社 2003 15 附录1 电路图 附图 变容二极管调频电路 16 附录2 元件清单 名称 元件 C1 Cap 备注 Capacitor 名称 元件 L2 备注 Inductor Magnetic-Core Inductor C2 C3 C4 C5 Cb Cc Dc Cap Cap Cap Cap Cap Cap 2CC1C Capacitor Capacitor Capacitor Capacitor Capacitor Capacitor Variable Capacitance Diode T R1 R2 R3 Rb1 Rb2 Rc 3DG100 Res2 Res2 Res2 Res2 Res2 Res2 NPN Amplifier Resistor Resistor Resistor Resistor Resistor Resistor L1 Inductor Inductor Re Res2 Resistor 17 因篇幅问题不能全部显示,请点此查看更多更全内容